隨著當前市場對低碳化可持續(xù)發(fā)展的要求，以及AI算力基礎設施對能源資源的巨量需求，第三代半導體已是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點及產(chǎn)業(yè)熱點。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者，英飛凌在氮化鎵（GaN）領域持續(xù)布局，在提升能源使用效率的賽道上不斷加速前進。

近日，在上海慕尼黑展會期間，英飛凌舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務高級首席工程師宋清亮先生在會上介紹了英飛凌新一代氮化鎵產(chǎn)品的特性以及優(yōu)勢。

程文濤表示：“英飛凌在沒有收購GaN Systems之前，向市場主要提供兩類產(chǎn)品，一類是分立式功率器件（Discrete Power），第二類就是集成式功率器件（Integrated Power），在收購后，氮化鎵的品類從原來的2類擴展到5類，分別為新一代CoolGaN?晶體管（Transistor）、CoolGaN?雙向開關（BDS）、CoolGaN? 智能感應（Smart Sense）、CoolGaN?驅動（Drive）和CoolGaN? Control?！?/p>

  針對CoolGaN?雙向開關（BDS）而言，CoolGaN? BDS擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開關，適用于移動設備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變器和整流器等。

  CoolGaN? BDS高壓產(chǎn)品分為650 V 和 850 V兩個型號，采用真正的常閉單片雙向開關，具有四種工作模式。該系列半導體器件基于柵極注入晶體管（GIT）技術，擁有兩個帶有襯底終端和獨立隔離控制的分立柵極。它們利用相同的漂移區(qū)來阻斷兩個方向的電壓，即便在重復短路的情況下也具備出色的性能，并且通過使用一個BDS代替四個傳統(tǒng)晶體管，可提高效率、密度和可靠性，使應用能夠從中受益并大幅節(jié)約成本。在替代單相H4 PFC、HERIC逆變器，和三相維也納整流器中的背對背開關時，該系列器件能夠優(yōu)化性能，而且還可用于交流/直流或直流/交流拓撲結構中的單級交流電源轉換等。

  而CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術的常閉單片雙向開關。它能阻斷兩個方向的電壓，并且通過單柵極共源極的設計進行了優(yōu)化，以取代電池供電消費產(chǎn)品中用作斷開開關的背對背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS產(chǎn)品的 R_DS(on) 值為 6 mΩ，后續(xù)還將推出一系列產(chǎn)品。相比背對背硅FET，使用40 V GaN BDS的優(yōu)點包括節(jié)省50% - 75%的PCB面積、降低50%以上的功率損耗，以及減少成本。

  CoolGaN? BDS作為被英飛凌稱作Game Changing的產(chǎn)品，相信在上市后會在市場中引起強烈的關注。

在介紹完新品的功能和特性后，程文濤又生動形象的表述了GaN的優(yōu)勢：“從市場層面來看，GaN主要有三大優(yōu)勢——節(jié)能、節(jié)省成本以及節(jié)省材料。在硅、碳化硅、氮化鎵三種材料里，氮化鎵開關速度是最快的。而開關速度快，就代表可以提升開關頻率，在開關頻率提升后很多被動元器件可以大幅度減小，散熱器也可以減小，進而節(jié)省物料，這是氮化鎵在節(jié)省物料層面帶來的優(yōu)勢。另外在效率部分中，氮化鎵和碳化硅有同樣的優(yōu)勢，就是用碳化硅或者平面型氮化鎵做出來的器件導通阻抗，也就是單位面積上能夠做的最小的導通阻抗，都要比硅以數(shù)量級的程度減小，這是氮化鎵在效率層面能帶來的優(yōu)勢。最后，由于前兩個方面都獲得提升后，也讓整個系統(tǒng)的成本大幅降低?！?/p>

  并且在媒體提問環(huán)節(jié)也有記者向英飛凌提問氮化鎵產(chǎn)能相關的問題，英飛凌表示在菲拉赫（奧地利）和居林（馬來西亞）的工廠，目前正致力于擴大碳化硅和氮化鎵功率半導體的產(chǎn)能，并計劃在質量驗證通過后的 3 年內全面過渡到 200 毫米(8 英寸) 產(chǎn)能。其中居林工廠，計劃從 2025 年第 1 季度開始，將推出 200 毫米（8 英寸）的產(chǎn)品。

英飛凌在成功收購GaN Systems之后，不僅使自身氮化鎵相關的產(chǎn)品系列得到了廣泛的擴展，同時設計研發(fā)思路也獲得了極大的拓寬，并在未來的路標中也出現(xiàn)了很多新品類。通過本次媒體會的精彩介紹，讓我們再一次清晰的認識到英飛凌在第三代半導體領域強大的實力，期待英飛凌未來在第三代半導體領域能夠繼續(xù)領航，創(chuàng)造輝煌。