技術(shù)
導(dǎo)讀:英偉達(dá)發(fā)布新聞稿,宣布臺(tái)積電和新思科技(Synopsys)正推進(jìn)部署使用英偉達(dá)的計(jì)算光刻平臺(tái),以加速制造并推動(dòng)下一代先進(jìn)半導(dǎo)體芯片的物理極限。
3 月 19 日消息,英偉達(dá)發(fā)布新聞稿,宣布臺(tái)積電和新思科技(Synopsys)正推進(jìn)部署使用英偉達(dá)的計(jì)算光刻平臺(tái),以加速制造并推動(dòng)下一代先進(jìn)半導(dǎo)體芯片的物理極限。
圖源:英偉達(dá)
臺(tái)積電和新思科技已決定在其軟件、制造工藝和系統(tǒng)中集成英偉達(dá)的 cuLitho 計(jì)算光刻平臺(tái),加快芯片制造速度,并在未來(lái)支持最新一代英偉達(dá) Blackwell 架構(gòu) GPU。
黃仁勛在 GTC 開(kāi)發(fā)者大會(huì)上表示:“計(jì)算光刻技術(shù)是芯片制造的基石。我們與臺(tái)積電、Synopsys 合作開(kāi)發(fā)的 cuLitho 應(yīng)用了加速計(jì)算和生成式人工智能,為半導(dǎo)體規(guī)模化開(kāi)辟了新的領(lǐng)域?!?/p>
英偉達(dá)還推出了全新的生成式人工智能算法,增強(qiáng)了用于 GPU 加速計(jì)算光刻技術(shù)的庫(kù) cuLitho,相比較目前基于 CPU 的方法,顯著改善了半導(dǎo)體制造工藝。
IT之家注:半導(dǎo)體制造過(guò)程中,計(jì)算光刻是最密集的工作負(fù)載,每年耗費(fèi) CPU 數(shù)百億小時(shí)。
芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵步驟之一,就是需要耗費(fèi) 3000 萬(wàn)小時(shí)的 CPU 時(shí)間來(lái)計(jì)算典型的掩模集,因此半導(dǎo)體代工廠通常會(huì)建立大型數(shù)據(jù)中心。
英偉達(dá)表示 350 個(gè)英偉達(dá) H100 系統(tǒng)現(xiàn)在可以取代 40,000 個(gè) CPU 系統(tǒng),從而加快了生產(chǎn)時(shí)間,同時(shí)降低了成本、空間和功耗。
英偉達(dá)表示 cuLitho 的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)在臺(tái)積電生產(chǎn)過(guò)程中顯現(xiàn),兩家公司共同實(shí)現(xiàn)了曲線流程速度(curvilinear flows)提高 45 倍,傳統(tǒng)的曼哈頓式流程(traditional Manhattan-style flows)提高近 60 倍。
英偉達(dá)開(kāi)發(fā)了應(yīng)用生成式人工智能的算法,以進(jìn)一步提升 cuLitho 平臺(tái)的價(jià)值。在通過(guò) cuLitho 實(shí)現(xiàn)的加速流程基礎(chǔ)上,新的生成式人工智能工作流程還能額外提高 2 倍的速度。
通過(guò)應(yīng)用生成式人工智能,可以創(chuàng)建近乎完美的反向掩膜或反向解決方案,以考慮光的衍射。然后通過(guò)傳統(tǒng)的嚴(yán)格物理方法得出最終光罩,從而將整個(gè)光學(xué)近似校正(OPC)流程的速度提高了兩倍。
目前,晶圓廠工藝中的許多變化都需要修改 OPC,從而增加了所需的計(jì)算量,并在晶圓廠開(kāi)發(fā)周期中造成了瓶頸。cuLitho 提供的加速計(jì)算和生成式人工智能可減輕這些成本和瓶頸,使工廠能夠分配可用的計(jì)算能力和工程帶寬,在開(kāi)發(fā) 2 納米及更先進(jìn)的新技術(shù)時(shí)設(shè)計(jì)出更多新穎的解決方案。